DDTA114EUA-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
52 руб.
от 100 шт. —
23 руб.
от 500 шт. —
18.51 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 225 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги5
Описание
30@5mA,5V One PNP - Pre-Biased 200mW 100mA 50V 500nA SOT-323-3 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500uA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 30@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | One PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Base resistor | 10kΩ |
| Base-emitter resistor | 10kΩ |
| Case | SOT323 |
| Collector current | 0.1A |
| Collector-emitter voltage | 50V |
| Frequency | 250MHz |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of transistor | BRT |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 0.2W |
| Type of transistor | PNP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 126 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
