STGF7NB60SL, IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT

Фото 1/4 STGF7NB60SL, IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3922 шт., срок 5-7 недель
630 руб.
от 10 шт.500 руб.
от 100 шт.374 руб.
от 250 шт.320.77 руб.
1 шт. на сумму 630 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007351061
Артикул: STGF7NB60SL
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified
Описание Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 25Вт; TO220FP Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 15 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220FP
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 600
Maximum Continuous Collector Current (A) 15
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) 0.1
Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 25
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP No
Standard Package Name TO
Supplier Package TO-220FP
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) 1.2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 207 КБ
Datasheet STGF7NB60SL
pdf, 254 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.