C2M0160120D, SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2588 шт., срок 5-7 недель

3 240 руб.

от 30 шт. — 2 560 руб.

от 60 шт. — 2 380 руб.

от 120 шт. — 2 302.21 руб.

1 шт. на сумму 3 240 руб.

Плати частями
от 810 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007351353

Артикул: C2M0160120D

Бренд: WOLFSPEED

Unclassified

Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	3.3V
Maximum Continuous Drain Current	19 A
Maximum Drain Source Resistance	196 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Maximum Gate Source Voltage	-5 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	125 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.4V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	SiC
Typical Gate Charge @ Vgs	34 nC @ 20 V, 34 nC @ 5 V
Width	5.21mm
Case	TO247-3
Drain current	17.7A
Drain-source voltage	1.2kV
Gate charge	34nC
Gate-source voltage	-10…25V
Kind of channel	enhanced
Manufacturer	Wolfspeed(CREE)
Mounting	THT
On-state resistance	196mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	125W
Reverse recovery time	23ns
Technology	SiC, Z-FET™
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	1