NTGD4167CT1G, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Технические параметры
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.6А |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 900мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.052Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand | ON Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 4 ns, 8 ns |
| Height | 0.94 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 2.2 A |
| Length | 3 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | TSOP-6 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1.1 W |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 90 mOhms, 170 mOhms |
| Rise Time | 4 ns, 8 ns |
| RoHS | Details |
| Series | NTGD4167C |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns, 22 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns, 8 ns |
| Unit Weight | 0.000705 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Width | 1.5 mm |
| Maximum Power Dissipation | 1.1 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TSOP |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Dual |
| Вес, г | 0.076 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
