IXBH42N170A, IGBTs BIMOSET 42A 1700V
![Фото 1/2 IXBH42N170A, IGBTs BIMOSET 42A 1700V](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769642.jpg)
6 810 руб.
от 10 шт. —
5 390 руб.
от 30 шт. —
4 680 руб.
от 60 шт. —
4 528.64 руб.
1 шт.
на сумму 6 810 руб.
Плати частями
от 1 704 руб. × 4 платежа
от 1 704 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 21А, 357Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 21A |
Collector-emitter voltage | 1.7kV |
Features of semiconductor devices | high voltage |
Gate charge | 188nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
Power dissipation | 357W |
Pulsed collector current | 265A |
Technology | BiMOSFET™ |
Turn-off time | 308ns |
Turn-on time | 33ns |
Type of transistor | IGBT |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 238 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов