IXBH42N170A, IGBTs BIMOSET 42A 1700V

Фото 1/2 IXBH42N170A, IGBTs BIMOSET 42A 1700V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 810 руб.
от 10 шт.5 390 руб.
от 30 шт.4 680 руб.
от 60 шт.4 528.64 руб.
1 шт. на сумму 6 810 руб.
Плати частями
от 1 704 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007411995
Артикул: IXBH42N170A
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 21А, 357Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Case TO247-3
Collector current 21A
Collector-emitter voltage 1.7kV
Features of semiconductor devices high voltage
Gate charge 188nC
Gate-emitter voltage ±20V
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting THT
Power dissipation 357W
Pulsed collector current 265A
Technology BiMOSFET™
Turn-off time 308ns
Turn-on time 33ns
Type of transistor IGBT

Техническая документация

Datasheet
pdf, 238 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов