C3M0025065D, SiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1684 шт., срок 5-7 недель
7 800 руб.
от 10 шт. —
6 420 руб.
от 30 шт. —
5 340 руб.
от 60 шт. —
5 074.67 руб.
1 шт.
на сумму 7 800 руб.
Плати частями
от 1 950 руб. × 4 платежа
от 1 950 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
SiC, MOSFET, 25m¶, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Material | SiC |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 97 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 34@15V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 250 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 19 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.6 |
Maximum IDSS (uA) | 50 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 326000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | C3M |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-247 |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 12 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 108@15V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2980@600V |
Typical Rise Time (ns) | 60 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 27 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
Вес, г | 8.57 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 955 КБ
Документация
pdf, 1117 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.