G2R1000MT17J, SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
![Фото 1/2 G2R1000MT17J, SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/389/DOC035389188.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/401/DOC047401205.jpg)
4065 шт., срок 5-7 недель
1 740 руб.
от 10 шт. —
1 530 руб.
от 25 шт. —
1 420 руб.
от 100 шт. —
1 235.18 руб.
1 шт.
на сумму 1 740 руб.
Плати частями
от 435 руб. × 4 платежа
от 435 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
N-канал 1700V 3A (Tc) 54W (Tc) поверхностный монтаж TO-263-7
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 139pF @ 1000V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-263-8, DВІPak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Series | G2Rв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-263-7 |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
Vgs (Max) | +20V, -10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1.45Ом |
Power Dissipation | 44Вт |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G2R Series |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
Непрерывный Ток Стока | 5А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
Рассеиваемая Мощность | 54Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Case | TO263-7 |
Drain current | 4A |
Drain-source voltage | 1.7kV |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
Gate-source voltage | -5…20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 1Ω |
Polarisation | unipolar |
Pulsed drain current | 8A |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet G2R1000MT17J
pdf, 1109 КБ
Datasheet G2R1000MT17J
pdf, 1024 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.