G3R20MT12N, SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
598 шт., срок 5-7 недель
14 850 руб.
от 10 шт. —
12 400 руб.
от 30 шт. —
11 180 руб.
от 100 шт. —
10 632.95 руб.
1 шт.
на сумму 14 850 руб.
Плати частями
от 3 714 руб. × 4 платежа
от 3 714 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Drain current | 74A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 20mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 365W |
| Pulsed drain current | 240A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | G3R™, SiC |
| Type of module | MOSFET transistor |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
