STGW30H60DFB, IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3882 шт., срок 5-7 недель

980 руб.

от 10 шт. — 780 руб.

от 25 шт. — 694 руб.

от 100 шт. — 555.35 руб.

1 шт. на сумму 980 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8007473601

Артикул: STGW30H60DFB

Unclassified

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	60 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	260 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	1