FDMS10C4D2N
![FDMS10C4D2N](https://static.chipdip.ru/lib/572/DOC006572380.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
860 руб.
от 2 шт. —
780 руб.
1 шт.
на сумму 860 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 124A, 4.2m?
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 50V |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 44A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Qg - заряд затвора | 65 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FDMS10C4D2N |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | Power-56-8 |
Ширина | 5 mm |
Вес, г | 0.09 |
Техническая документация
Datasheet FDMS10C4D2N
pdf, 409 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов