G3R30MT12K, SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
![G3R30MT12K, SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/909/DOC007909105.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
730 шт., срок 5-7 недель
6 070 руб.
от 10 шт. —
4 960 руб.
от 30 шт. —
4 790 руб.
от 120 шт. —
4 236.69 руб.
1 шт.
на сумму 6 070 руб.
Плати частями
от 1 519 руб. × 4 платежа
от 1 519 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.03Ом |
Power Dissipation | 400Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 90А |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 51 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.