G3R20MT12K, SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
549 шт., срок 5-7 недель
9 540 руб.
от 10 шт. —
7 950 руб.
от 30 шт. —
7 160 руб.
от 120 шт. —
6 799.65 руб.
1 шт.
на сумму 9 540 руб.
Плати частями
от 2 385 руб. × 4 платежа
от 2 385 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Drain current | 90A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Gate charge | 219nC |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 20mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 542W |
| Pulsed drain current | 240A |
| Technology | G3R™, SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 883 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
