PJT7600_R1_00001, MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected

12748 шт., срок 5-7 недель

140 руб.

от 10 шт. — 110 руб.

от 100 шт. — 55 руб.

от 1000 шт. — 35.57 руб.

1 шт. на сумму 140 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8007497515

Артикул: PJT7600_R1_00001

Unclassified

20V 350mW 1V@250uA 1PCSNChannel+1PCSPChannel SOT-363 MOSFETs ROHS

Continuous Drain Current (Id)	1A;700mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	150mΩ@1A, 4.5V;325mΩ@700mA, 4.5V
Drain Source Voltage (Vdss)	20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	92pF@10V;151pF@10V
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	350mW
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	1.6nC@4.5V;2.2nC@4.5V
Type	1PCSNChannel+1PCSPChannel

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем