G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
949 шт., срок 6 недель
1 600 руб.
от 3 шт. —
1 520 руб.
от 10 шт. —
1 200 руб.
от 50 шт. —
1 016.34 руб.
1 шт.
на сумму 1 600 руб.
Плати частями
от 400 руб. × 4 платежа
от 400 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Case | TO263-7 |
| Drain current | 8A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Gate charge | 12nC |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.35Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 75W |
| Pulsed drain current | 16A |
| Technology | G3R™, SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.35Ом |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | G3R |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
| Рассеиваемая Мощность | 75Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.35Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Вес, г | 1.36 |
Техническая документация
Datasheet G3R350MT12J
pdf, 1296 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
