G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт
![Фото 1/2 G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт](https://static.chipdip.ru/lib/477/DOC047477274.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/389/DOC035389275.jpg)
915 шт., срок 6 недель
2 430 руб.
от 3 шт. —
1 930 руб.
от 10 шт. —
1 570 руб.
от 30 шт. —
1 408.37 руб.
1 шт.
на сумму 2 430 руб.
Плати частями
от 609 руб. × 4 платежа
от 609 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 16A |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Gate charge | 28nC |
Gate-source voltage | -5…15V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.16Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 123W |
Pulsed drain current | 40A |
Technology | G3R™, SiC |
Type of transistor | N-MOSFET |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.16Ом |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 22А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
Рассеиваемая Мощность | 123Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 1.393 |
Техническая документация
Datasheet G3R160MT12D
pdf, 1135 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.