FFSM1065B, Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 10 A, 650 V, D2, Power88 Silicon Carbide (SiC) Scho
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 руб.
от 10 шт. —
620 руб.
от 100 шт. —
486 руб.
от 500 шт. —
427.91 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 740 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Schottky Diodes & Rectifiers
The ON Semiconductor FFSM series is silicon carbide schottky diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon.
Технические параметры
| Diode Configuration | Common Anode Pair+Common Cathode Pair |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 10A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | 2P, PQFN 8X8 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Pin Count | 5 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Average Forward Current | 10А |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Количество Выводов | 4 Вывода |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 25нКл |
| Стиль Корпуса Диода | PQFN |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
