EM6K31GT2R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37778 шт., срок 6-8 недель
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
83 руб.
от 100 шт. —
46 руб.
от 500 шт. —
39.21 руб.
2 шт.
на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Electronic Vehicle (EV) Solutions ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Fall Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 250 mA |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOT-563-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Product Category: | MOSFETs |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 Ohms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet EM6K31GT2R
pdf, 1412 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
