IKB40N65ES5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 310 руб.
от 10 шт. —
980 руб.
от 100 шт. —
713 руб.
от 500 шт. —
590.07 руб.
1 шт.
на сумму 1 310 руб.
Плати частями
от 329 руб. × 4 платежа
от 329 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor. High Efficiency
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 79 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1546 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
