R6006KND3TL1

R6006KND3TL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2633 шт., срок 6-8 недель
630 руб.
от 10 шт.480 руб.
от 100 шт.358 руб.
от 500 шт.282.80 руб.
1 шт. на сумму 630 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007518176
Бренд: Rohm

Описание

МОП-транзистор 600V N-CH 6A POWER МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 6 A
Pd - рассеивание мощности 70 W
Qg - заряд затвора 12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 830 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 22 ns
Время спада 30 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 30 ns
Типичное время задержки при включении 17 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок TO-252-3

Техническая документация

Datasheet R6006KND3TL1
pdf, 1575 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.