R6006KND3TL1
![R6006KND3TL1](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523445.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2633 шт., срок 6-8 недель
630 руб.
от 10 шт. —
480 руб.
от 100 шт. —
358 руб.
от 500 шт. —
282.80 руб.
1 шт.
на сумму 630 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор 600V N-CH 6A POWER МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
Pd - рассеивание мощности | 70 W |
Qg - заряд затвора | 12 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 830 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 22 ns |
Время спада | 30 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Техническая документация
Datasheet R6006KND3TL1
pdf, 1575 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.