BAT1804E6327HTSA1
![BAT1804E6327HTSA1](https://static.chipdip.ru/lib/855/DOC044855681.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
75 руб.
от 500 шт. —
54.44 руб.
2 шт.
на сумму 280 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon silicon RF switching diode is a PIN diode with low forward resistance. Low loss VHF, UHF switch above 10 MHzundefined
Технические параметры
Diode Configuration | Series |
Diode Type | Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 100mA |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-23 |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 35V |
Pin Count | 3 |
Series | BAT18 |
Техническая документация
Datasheet BAT1804E6327HTSA1
pdf, 809 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды прочие»
Типы корпусов импортных диодов