R6507ENJTL
![R6507ENJTL](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172973.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
998 шт., срок 6-8 недель
910 руб.
от 10 шт. —
700 руб.
от 100 шт. —
496 руб.
от 500 шт. —
410.48 руб.
1 шт.
на сумму 910 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.605Ом |
Power Dissipation | 78Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 7А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 78Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.605Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263S |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet R6507ENJTL
pdf, 1470 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.