STB13NK60ZT4

Фото 1/2 STB13NK60ZT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
757 шт., срок 6-8 недель
1 240 руб.
от 10 шт.930 руб.
от 100 шт.677 руб.
от 500 шт.559.92 руб.
1 шт. на сумму 1 240 руб.
Плати частями
от 310 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007533124
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 8,2А, 150Вт, D2PAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 13 A
Pd - рассеивание мощности 150 W
Qg - заряд затвора 92 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 14 ns
Время спада 12 ns
Высота 4.6 mm
Длина 10.4 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperMESH
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 11 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STB13NK60ZT4
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 61 ns
Типичное время задержки при включении 22 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.35 mm

Техническая документация

Datasheet STB13NK60ZT4
pdf, 475 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.