STB13NK60ZT4
![Фото 1/2 STB13NK60ZT4](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516337.jpg)
757 шт., срок 6-8 недель
1 240 руб.
от 10 шт. —
930 руб.
от 100 шт. —
677 руб.
от 500 шт. —
559.92 руб.
1 шт.
на сумму 1 240 руб.
Плати частями
от 310 руб. × 4 платежа
от 310 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 8,2А, 150Вт, D2PAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Qg - заряд затвора | 92 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 14 ns |
Время спада | 12 ns |
Высота | 4.6 mm |
Длина | 10.4 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperMESH |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STB13NK60ZT4 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 61 ns |
Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.35 mm |
Техническая документация
Datasheet STB13NK60ZT4
pdf, 475 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.