RF4E100AJTCR

RF4E100AJTCR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11684 шт., срок 6-8 недель
180 руб.
от 10 шт.150 руб.
от 100 шт.100 руб.
от 500 шт.82.09 руб.
1 шт. на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8007538727
Бренд: Rohm

Описание

Low-Gate Drive Voltage MOSFETs ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9V to 10V. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs come in a wide choice of sizes as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes helps to contribute to area space-saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 20 ns
Forward Transconductance - Min: 6 S
Id - Continuous Drain Current: 10 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: HUML2020L-8
Part # Aliases: RF4E100AJ
Pd - Power Dissipation: 2 W
Product Category: MOSFETs
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 13 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 9.4 mOhms
Rise Time: 21 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 54 ns
Typical Turn-On Delay Time: 21 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 500 mV

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1556 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.