CSD17553Q5A

CSD17553Q5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
310 руб.
от 10 шт.240 руб.
от 100 шт.170 руб.
от 500 шт.134.02 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 310 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007538933
Бренд: Texas Instruments

Описание

Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.

Технические параметры

Brand: Texas Instruments
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Id - Continuous Drain Current: 60 A
Manufacturer: Texas Instruments
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: VSONP-8
Pd - Power Dissipation: 3.1 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 17.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 4 mOhms
Series: CSD17553Q5A
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: NexFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V
Вес, г 0.28

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов