RQ6E045TNTR
![RQ6E045TNTR](https://static.chipdip.ru/lib/301/DOC005301828.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8894 шт., срок 6-8 недель
190 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 100 шт. —
98 руб.
от 500 шт. —
78.62 руб.
1 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.03Ом |
Power Dissipation | 1.25Вт |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.03Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-457T |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet RQ6E045TNTR
pdf, 1558 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.