RJ1L08CGNTLL
![RJ1L08CGNTLL](https://static.chipdip.ru/lib/597/DOC006597267.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1980 шт., срок 6-8 недель
750 руб.
от 10 шт. —
570 руб.
от 100 шт. —
426 руб.
от 500 шт. —
313.25 руб.
1 шт.
на сумму 750 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор 60V N-CHANNEL 80A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Pd - рассеивание мощности | 96 W |
Qg - заряд затвора | 55 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.7 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 32 ns |
Время спада | 34 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 71 ns |
Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Техническая документация
Datasheet RJ1L08CGNTLL
pdf, 1547 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.