RD3U080CNTL1
![RD3U080CNTL1](https://static.chipdip.ru/lib/423/DOC043423654.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14977 шт., срок 6-8 недель
570 руб.
от 10 шт. —
440 руб.
от 100 шт. —
322 руб.
от 500 шт. —
254.56 руб.
1 шт.
на сумму 570 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Silicon Power MOSFETs ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 15 ns |
Forward Transconductance - Min: | 2.7 S |
Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
Part # Aliases: | RD3U080CN |
Pd - Power Dissipation: | 85 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 25 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms |
Rise Time: | 40 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.