RQ1A060ZPTR
![RQ1A060ZPTR](https://static.chipdip.ru/lib/574/DOC006574868.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11921 шт., срок 6-8 недель
280 руб.
от 10 шт. —
230 руб.
от 100 шт. —
149 руб.
от 500 шт. —
112.16 руб.
1 шт.
на сумму 280 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор SW МОП-транзистор MID PWR P-CH 12V -6A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Qg - заряд затвора | 34 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 105 ns |
Время спада | 230 ns |
Другие названия товара № | RQ1A060ZP |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 400 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | TSMT-8 |
Техническая документация
Datasheet RQ1A060ZPTR
pdf, 1291 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.