QS8M51TR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

34094 шт., срок 6-8 недель

300 руб.

от 10 шт. — 220 руб.

от 100 шт. — 160 руб.

от 500 шт. — 126.66 руб.

1 шт. на сумму 300 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007604161

Бренд: Rohm

Complex type MOSFETs(P+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N, P
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	2 A, 1.5 A
Maximum Drain Source Resistance	355 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5(N Channel)V, 2.5(P Channel)V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.5 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1(N Channel)V, 1(P Channel)V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	TSMT-8
Pin Count	8
Series	QS8M51
Typical Gate Charge @ Vgs	4.7 nC @ 5 V
Width	2.5mm