BR93H66RFVM-WCTR
![Фото 1/2 BR93H66RFVM-WCTR](https://static.chipdip.ru/lib/573/DOC006573125.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172214.jpg)
2952 шт., срок 6-8 недель
200 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
от 25 шт. —
157 руб.
от 50 шт. —
155.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
EEPROM (3-Wire) 1.25MHz 4Kbit 2.7-5.5V
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | BR93H66RFVM-WC |
Категория продукта | EEPROM |
Квалификация | AEC-Q100 |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Максимальная тактовая частота | 1.25 MHz |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение питания - макс. | 3 mA, 5.5 V |
Напряжение питания - мин. | 2.7 V |
Организация | 256 x 16 |
Подкатегория | Memory Data Storage |
Рабочее напряжение питания | 2.7 V to 5.5 V |
Размер памяти | 4 kB |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Сохранение данных | 40 Year |
Тип интерфейса | Serial, 3-Wire, Microwire |
Тип продукта | EEPROM |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | MSOP-8 |
IC Case / Package | MSOP |
Interfaces | Serial Microwire |
Memory Configuration | 256x16bit |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Конфигурация Памяти EEPROM | 256x16бит |
Линейка Продукции | 4Kbit Microwire Serial EEPROM |
Максимальное Напряжение Питания | 5.5В |
Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Плотность Памяти | 4Кбит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | MSOP |
Тактовая Частота | 1.25МГц |
Тип интерфейса памяти | Serial Microwire |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.