R8002CND3FRATL
![R8002CND3FRATL](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7296 шт., срок 6-8 недель
580 руб.
от 10 шт. —
450 руб.
от 100 шт. —
337 руб.
от 500 шт. —
286.80 руб.
1 шт.
на сумму 580 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 3.3Ом |
Power Dissipation | 69Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 2А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
Рассеиваемая Мощность | 69Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3.3Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1333 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.