Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › R6504ENJTL

R6504ENJTL

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

92 шт., срок 6-8 недель

690 руб.

от 10 шт. — 530 руб.

1 шт. на сумму 690 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007650577

Бренд: Rohm

Описание

МОП-транзистор 650V N-CH 4A POWER МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	58 W
Qg - заряд затвора	15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.05 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	20 ns
Время спада	45 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	TO-263-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.955Ом
Power Dissipation	58Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	4А
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	58Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.955Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263S
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный