DTA114EU3T106, 30@5mA,5V One PNP - Pre-Biased 200mW 100mA SOT-323-3 Digital Transistors ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
475 шт., срок 6-8 недель
17 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
14 руб.
от 150 шт. —
12 руб.
15 шт.
на сумму 255 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323;SC-70;UMT3
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | - 50 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | - 100 mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | - 100 mA |
| Maximum Operating Frequency | 250 MHz |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Output Voltage | - 100 mV |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Peak DC Collector Current | - 100 mA |
| Product Category | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | PNP |
| Typical Input Resistor | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходное напряжение | 100 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-323 |
| Линейка Продукции | DTA114E Series |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -50В |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | -100мА |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный PNP |
| Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 1соотношение |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2186 КБ
Datasheet DTA114EU3T106
pdf, 1399 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
