IKW40N65WR5, Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 115Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 340 руб.
от 3 шт. —
1 180 руб.
от 10 шт. —
914 руб.
1 шт.
на сумму 1 340 руб.
Плати частями
от 335 руб. × 4 платежа
от 335 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 115Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 40A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 193nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 115W |
| Pulsed collector current | 120A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | TRENCHSTOP™ 5 |
| Turn-off time | 448ns |
| Turn-on time | 60ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1915 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
