AUIRF3805S-7P, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 760 руб.
от 2 шт. —
1 680 руб.
от 4 шт. —
1 590 руб.
от 7 шт. —
1 500 руб.
1 шт.
на сумму 1 760 руб.
Плати частями
от 440 руб. × 4 платежа
от 440 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A
Технические параметры
Корпус | D2PAK-7 | |
AEC Qualified Number | AEC-Q101 | |
Automotive | Yes | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 240 | |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2.6@10V | |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 | |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 | |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 300000 | |
Military | No | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 | |
Packaging | Tube | |
Pin Count | 7 | |
Process Technology | HEXFET | |
Standard Package Name | TO-263 | |
Supplier Package | D2PAK | |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 130 | |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 130@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 7820@25V | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
AUIRF3805S-7P
pdf, 327 КБ
Документация
pdf, 743 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов