IGW25N120H3FKSA1, IGBTs IGBT PRODUCTS
![Фото 1/4 IGW25N120H3FKSA1, IGBTs IGBT PRODUCTS](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806596.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
1 490 руб.
от 10 шт. —
1 340 руб.
от 25 шт. —
1 060 руб.
от 100 шт. —
847.39 руб.
1 шт.
на сумму 1 490 руб.
Плати частями
от 374 руб. × 4 платежа
от 374 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Описание Транзистор БТИЗ IGW25N120H3FKSA1 от производителя INFINEON обладает внушительными характеристиками для эффективного использования в сфере электроники. Модель монтируется методом THT, что облегчает интеграцию в электрические цепи. С током коллектора до 50 А и напряжением коллектор-эмиттер в 1 200 В, этот мощный транзистор IGBT способен управлять высокими нагрузками, имея при этом мощность до 326 Вт. Корпус PG-TO247-3 обеспечивает надежную защиту компонентов и удобство монтажа. Продукт IGW25N120H3FKSA1 станет незаменимым элементом в разработке мощных электронных устройств. Наши специалисты всегда готовы помочь с выбором подходящих компонентов, включая IGW25N120H3FKSA1, для реализации ваших технических задач. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 50 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
Мощность, Вт | 326 |
Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 326 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IGW25N12H3XK SP000674424 IGW25N120H3FKSA1 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.05 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | HighSpeed 3 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.05 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 50 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IGW25N120H3FKSA1 IGW25N12H3XK SP000674424 |
Pd - Power Dissipation | 326 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | HighSpeed 3 |
Technology | Si |
Tradename | TRENCHSTOP |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Power Dissipation | 326 W |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IGW25N120H3
pdf, 2020 КБ
Datasheet IGW25N120H3FKSA1
pdf, 2313 КБ
Документация
pdf, 2033 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов