BSS123
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56485 шт. со склада г.Москва
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 2040 шт.
от 4700 шт. —
1.30 руб.
от 21000 шт. —
1.12 руб.
Добавить в корзину 2040 шт.
на сумму 4 080 руб.
Плати частями
от 1 020 руб. × 4 платежа
от 1 020 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
MOSFET-транзистор Single N-канальный 100В 0.2А [SOT-23]
Технические параметры
| Корпус | sot23 | |
| кол-во в упаковке | 3000 | |
| Case | SOT23 | |
| Drain current | 0.16A | |
| Drain-source voltage | 100V | |
| Gate charge | 2.5nC | |
| Gate-source voltage | ±20V | |
| Kind of channel | enhanced | |
| Kind of package | reel, tape | |
| Manufacturer | YANGJIE TECHNOLOGY | |
| Mounting | SMD | |
| On-state resistance | 5.5Ω | |
| Polarisation | unipolar | |
| Power dissipation | 0.35W | |
| Pulsed drain current | 0.8A | |
| Technology | TRENCH POWER MV | |
| Type of transistor | N-MOSFET | |
| Вес, г | 0.026 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 650 КБ
Datasheet BSS123
pdf, 589 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
