IXYX25N250CV1HV
![Фото 1/2 IXYX25N250CV1HV](https://static.chipdip.ru/lib/324/DOC026324340.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC035435141.jpg)
10 260 руб.
от 30 шт. —
7 260 руб.
1 шт.
на сумму 10 260 руб.
Плати частями
от 2 565 руб. × 4 платежа
от 2 565 руб. × 4 платежа
Описание
Thin wafer XPT™ technology Low on-state voltages VCE(sat) Co-packed fast recovery diodes Positive temperature coefficient of VCE(sat)
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 2500 V |
Maximum Continuous Collector Current | 95 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 937 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PLUS247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |