IR2127STRPBF, , одноканальный драйвер MOSFET и IGBT верхнего и нижнего плеча Infineon Technologies, корпус SOIC-8
![Фото 1/5 IR2127STRPBF, , одноканальный драйвер MOSFET и IGBT верхнего и нижнего плеча Infineon Technologies, корпус SOIC-8](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395260.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171134.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/035/DOC023035992.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/250/DOC032250228.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436284.jpg)
160 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 1 600 руб.
Плати частями
от 400 руб. × 4 платежа
от 400 руб. × 4 платежа
Описание
МИКРОСХЕМЫ\Драйверы
Драйверы для управления затвором 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT
Технические параметры
Корпус | SOIC-8 | |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 2 | |
Выходной ток | 200 мА | |
Диапазон рабочих температур | -40…+125 °С | |
Количество | каналов-1 | |
Мощность | рассеиваемая(max)-625 мВт | |
Напряжение | питания 12…20В | |
Описание | High voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver | |
Тип | Совмещёный драйвер верхнего и нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT | |
Тип выхода | CMOS, TTL | |
Ток | источника питания(рабочий)-120 uA | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*50/2500 | |
Упаковка | REEL, 2500 шт. | |
Pd - рассеивание мощности | 625 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 130 ns | |
Время спада | 65 ns | |
Высота | 1.5 mm | |
Длина | 5 mm | |
Категория продукта | Драйверы для управления затвором | |
Количество выходов | 1 Output | |
Количество драйверов | 1 Driver | |
Максимальная рабочая температура | + 125 C | |
Максимальное время задержки включения | 200 ns | |
Максимальное время задержки выключения | 150 ns | |
Минимальная рабочая температура | 40 C | |
Напряжение питания - макс. | 20 V | |
Напряжение питания - мин. | 10 V | |
Подкатегория | PMIC - Power Management ICs | |
Продукт | MOSFET Gate Drivers | |
Рабочее напряжение питания | 25 V | |
Рабочий ток источника питания | 120 uA | |
Размер фабричной упаковки | 2500 | |
Технология | Si | |
Тип логики | CMOS, TTL | |
Тип продукта | Gate Drivers | |
Торговая марка | Infineon / IR | |
Упаковка / блок | SOIC-8 | |
Чувствительный к влажности | Yes | |
Ширина | 4 mm | |
IC Case / Package | SOIC | |
Задержка Выхода | 150нс | |
Задержка по Входу | 200нс | |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
Количество Каналов | 1канал(-ов) | |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона | |
Максимальное Напряжение Питания | 20В | |
Минимальное Напряжение Питания | 10В | |
Стиль Корпуса Привода | SOIC | |
Тип переключателя питания | MOSFET | |
Ток истока | 250мА | |
Ток стока | 500мА | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 2-1 год | |
Fall Time | 65ns | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Drivers | 1 | |
Number of Outputs | 1 | |
Output Current | 0.25 A, 0.5 A | |
Package Type | SOIC | |
Pin Count | 8 | |
Polarity | Non-Inverting | |
Rise Time | 130ns | |
Supply Voltage | 20V | |
Time Delay | 250ns | |
Topology | High Side | |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем