C3M0032120D, SiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
583 шт., срок 5-7 недель
6 010 руб.
1 шт.
на сумму 6 010 руб.
Плати частями
от 1 504 руб. × 4 платежа
от 1 504 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.032Ом |
| Power Dissipation | 283Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | C3M |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 63А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 283Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.032Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Material | SiC |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 63 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 43@15V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 250 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 15 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.6 |
| Maximum IDSS (uA) | 50 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 15 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 283000 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 120 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1.8 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | Unknown |
| Process Technology | C3M |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-247 |
| Tab | Tab |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 4.6 |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 114@15V |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 7 |
| Typical Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 40 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 35 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3357@1000V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 129 |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 848 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 69 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 8@1000V |
| Typical Rise Time (ns) | 22 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 39 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 107 |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 730 КБ
Datasheet C3M0032120D
pdf, 786 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
