HUF76639S3ST, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 320 руб.
1 шт.
на сумму 1 320 руб.
Плати частями
от 330 руб. × 4 платежа
от 330 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Fall Time: | 110 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263AB-3 |
| Part # Aliases: | HUF76639S3ST_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 180 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 86 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Rise Time: | 55 ns |
| Series: | HUF76639S3S |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 151 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, кг | 4.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 385 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
