STGF30M65DF2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
125 шт., срок 5-7 недель
680 руб.
от 10 шт. —
520 руб.
от 100 шт. —
402 руб.
1 шт.
на сумму 680 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 60А |
| Power Dissipation | 38Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | 650V M |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 708 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
