IXYX120N120B3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 120А, 1,5кВт, PLUS247™
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 760 руб.
от 3 шт. —
7 900 руб.
от 10 шт. —
6 920 руб.
от 30 шт. —
5 827.73 руб.
1 шт.
на сумму 9 760 руб.
Плати частями
от 2 440 руб. × 4 платежа
от 2 440 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 120А, 1,5кВт, PLUS247™ Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | PLUS247™ |
| Collector current | 120A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 400nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 1.5kW |
| Pulsed collector current | 800A |
| Technology | GenX3™, Planar, XPT™ |
| Turn-off time | 826ns |
| Turn-on time | 84ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.78 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
