G2R1000MT17D
![G2R1000MT17D](https://static.chipdip.ru/lib/537/DOC007537898.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
2 040 руб.
от 2 шт. —
1 890 руб.
от 3 шт. —
1 790 руб.
1 шт.
на сумму 2 040 руб.
Плати частями
от 510 руб. × 4 платежа
от 510 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8007978190
Бренд: GENESIC SEMICONDUCTOR
Описание
Электроэлемент
Vds:1.7Kv; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:53W Rohs Compliant: Yes |Genesic Semiconductor G2R1000MT17D
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 1000V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 139pF @ 1000V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Series | G2Rв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
Vgs (Max) | +20V, -5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Вес, г | 6.09 |
Техническая документация
Datasheet G2R1000MT17D
pdf, 1098 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.