STGB19NC60KDT4, IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
827 шт., срок 5-7 недель
1 640 руб.
от 10 шт. —
1 350 руб.
от 100 шт. —
989 руб.
от 500 шт. —
817.92 руб.
1 шт.
на сумму 1 640 руб.
Плати частями
от 410 руб. × 4 платежа
от 410 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
125W 35A 600V D2PAK IGBTs ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 35A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 31ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.75V@15V, 12A |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 75A |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 55nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 105ns |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.255mJ |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 30ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.165mJ |
| Type | - |
Техническая документация
Datasheet STGB19NC60KDT4, STGF19NC60KD, STGP19NC60KD
pdf, 1330 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
