FCPF11N60T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 040 руб.
от 2 шт. —
910 руб.
от 5 шт. —
818 руб.
от 10 шт. —
776.25 руб.
1 шт.
на сумму 1 040 руб.
Плати частями
от 260 руб. × 4 платежа
от 260 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail - Rail/Tube (Alt: FCPF11N60T)
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 56 ns |
| Forward Transconductance - Min | 9.7 S |
| Height | 16.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 36 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 320 mOhms |
| Rise Time | 98 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FCPF11N60T |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 119 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 34 ns |
| Unit Weight | 0.080072 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 4.7 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Pd - рассеивание мощности | 36 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 320 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 98 ns |
| Время спада | 56 ns |
| Высота | 16.3 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9.7 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FCPF11N60T |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 119 ns |
| Типичное время задержки при включении | 34 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Вес, г | 3.01 |
Техническая документация
Datasheet FCPF11N60T
pdf, 865 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
