RGTV80TS65GC11, IGBTs 650V 40A Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
421 шт., срок 5-7 недель
1 530 руб.
от 10 шт. —
960 руб.
от 250 шт. —
577 руб.
1 шт.
на сумму 1 530 руб.
Плати частями
от 384 руб. × 4 платежа
от 384 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 78А |
| Power Dissipation | 234Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Trench |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
