FP25R12KT3BPSA1, IGBT Modules N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32 480 руб.
от 10 шт. —
26 190 руб.
1 шт.
на сумму 32 480 руб.
Плати частями
от 8 120 руб. × 4 платежа
от 8 120 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 25 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT3 and NTC. The PIM with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 155 W |
| Package Type | AG-ECONO2C-311 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FP25R12KT3
pdf, 574 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
