IXYP8N90C3D1, Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO220-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 220 руб.

от 3 шт. — 1 080 руб.

от 10 шт. — 835 руб.

от 50 шт. — 682.87 руб.

1 шт. на сумму 1 220 руб.

Плати частями
от 305 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8008311703

Артикул: IXYP8N90C3D1

Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO220-3 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	125 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	XPT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	20 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	20 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXYP8N90
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	2.07

pdf, 345 КБ

Мы рекомендуем