STGF6NC60HD, IGBTs PowerMESH" IGBT
![Фото 1/3 STGF6NC60HD, IGBTs PowerMESH" IGBT](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639246.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436575.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478587.jpg)
2132 шт., срок 5-7 недель
420 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
от 100 шт. —
201 руб.
от 500 шт. —
167.57 руб.
1 шт.
на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 6 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 20 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STGF6NC60HD
pdf, 393 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.