STGF6NC60HD, IGBTs PowerMESH&#34 IGBT

Фото 1/3 STGF6NC60HD, IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2132 шт., срок 5-7 недель
420 руб.
от 10 шт.250 руб.
от 100 шт.201 руб.
от 500 шт.167.57 руб.
1 шт. на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8008317207
Артикул: STGF6NC60HD
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 6 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 20 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220FP
Pin Count 3
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration Single
Вес, г 3.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STGF6NC60HD
pdf, 393 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.